日立イオンミリング装置の最上位機種。
クラス最速の断面ミリングレート を達成し、高スループット断面ミリングにより、電子顕微鏡用の断面試料作製がさらに身近になりました。

【特長】
● 断面ミリングレート 1mm/h^＊1到達！
　イオンビームのさらなる高電流密度化を図った新開発のPLUSⅡイオンガンにより、ミリングレートが大幅に向上^＊2しました。
● 最大断面ミリング幅 8 mmまで拡張！
　ワイドエリア断面ミリングホルダとの併用で加工幅を8mmまで拡張できます。
● ハイブリッドタイプのミリング装置
　断面ミリング^＊3、フラットミリング^＊4に対応。

スタンダードモデルIM4000IIと併せて、ホームページをご覧ください。
＊1 : マスクエッジからSiを100μm突出させて1時間加工した際の最大の深さ。
＊2 : 当社製品（IM4000PLUS : 2014年製）比で2倍のミリングレートを実現。
＊3 : 割断や機械研磨では困難な柔らかい材料や複合材料の断面作製。
＊4 : 機械研磨試料の最終仕上げや試料表面の清浄化。
＊フラットミリング®は、日本国内における株式会社日立ハイテクの登録商標です。