Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry（D‑SIMS）は、元素の深さ方向分布を高感度かつ高速に分析できる手法です。ADEPT 2は、高透過率の四重極質量分析計と新設計の一次イオン銃を搭載し、薄膜やデバイス中のドーパントおよび不純物分析に最適な装置です。主な特長として、高速・高感度分析、極限まで高められた深さ分解能、ならびに容易な自動分析が挙げられます。さらに、Cs⁺およびO₂⁺イオン源向けに新設計されたカラムにより、高輝度イオンビームの生成と高精度なクレーター形成を実現しています。
また、オプションのICP酸素プラズマ源により、高イオン電流、長寿命、高い安定性が得られ、ダイナミックレンジの向上に寄与します。
制御ソフトウェアSmartSoft‑SIMSは、直感的な操作性により多点分析や自動分析を可能とし、次世代半導体デバイス分析への適用範囲をさらに拡大しています。