テラヘルツ分光（Terahertz Time-Domain Spectroscopy）技術をベースに電気特性評価を目的に開発した分析装置です。 本装置の基盤技術であるテラヘルツ分光計測では、テラヘルツ領域の複素誘電率・電気伝導度の周波数依存性を非破壊・非接触で測定することができます。 SiCなどのパワーデバイスではキャリア濃度や移動度の違いがテラヘルツ領域で観測されることから、ドルーデモデルを適用することで、これらの値を得ることができます。 本装置では、偏光解析の技術を用いた反射光学系を採用することで、テラヘルツ光が透過しない基板にも適用できるようにしています。